案例：1

碳化硅晶片抛光方案

案例描述：SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：多线切割、双面粗磨、双面精磨、双面化学机械抛光和Si面CMP。用到的CMP抛光材料有：金刚石研磨液、氧化铝抛光液、氧化硅抛光液和抛光垫。

案例2

蓝宝石衬底片加工流程

案例描述：晶体生长/切片→双面粗磨→单面研磨→单面抛光，用到的研磨抛光材料有：碳化硼研磨液、金刚石研磨液、氧化硅抛光液和抛光垫，具体根据制程和工艺配制相应辅材！

案例3

红外材料锗晶片研磨抛光

案例描述：锗晶片作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于航天航空和太阳能等领域. 衬底外延生长要求锗晶片表面有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需要通过对锗表面进光去除表面缺陷、提高表面质量,从而满足外延生长.