CMP抛光工艺的由来

机械抛光法 

机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法，一般使用油石条、羊毛轮、砂纸等，以手工操作为主。

特殊零件如回转体表面，可使用转台等辅助工具，表面质量要求高的可采用超精研抛的方法。超精研抛是采用特制的磨具，在含有磨料的研抛液中，紧压在工件被加工表面上，作高速旋转运动。利用该技术可以达到Ra0.008μm的表面粗糙度，是各种抛光方法中高的。

 化学抛光法  

化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分相比进行优先溶解，从而得到平滑面。

这种方法的主要优点是不需复杂设备，可以抛光形状复杂的工件，也可以同时抛光很多工件，效率高。化学抛光的核心问题是抛光液的配制。化学抛光得到的表面粗糙度一般为数10μm。

 化学机械抛光法 (CMP) 

化学机械抛光将机械摩擦和化学腐蚀相结合，可在工艺上达到优缺互补的效果。在化学机械抛光过程中，抛光液中的化学试剂将使被抛光基底材料氧化，生成一层较软的氧化膜层，然后再通过机械摩擦作用去除氧化膜层，这样通过反复的氧化成膜-机械去除过程，从而达到了抛光的目的。